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最新专利技术
  • 一种多工位碳化硅籽晶同步粘接装置及方法
    一种多工位碳化硅籽晶同步粘接装置及方法_粤港澳大湾区(广东)量子科学中心_202511906695.4
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种多工位碳化硅籽晶同步粘接装置及方法，该装置包括主体支架，多个籽晶粘接工位单元，沿所述主体支架的轴向叠设于容置腔体中；双层锁紧盖，设置于所述主体支架上，用于向多个籽晶粘接工位单元施加轴向压紧力；所...
    2026-05-07
  • 一种碳化硅晶体生长坩埚取放机构及坩埚
    一种碳化硅晶体生长坩埚取放机构及坩埚_芜湖予秦半导体科技有限公司_202311693706.6
    本发明涉及碳化硅晶体坩埚技术领域，具体为一种碳化硅晶体生长坩埚取放机构及坩埚，包括碳化硅晶体生长坩埚取放机构和坩埚，所述碳化硅晶体生长坩埚取放机构包括放置板、升降机构、两个传动机构、两个夹持机构和移动机构；本发明通过升降机构带动锅体进行升降...
    2026-05-07
  • 一种基于离子辐照诱导正/负光电导优化载流子分离的方法
    一种基于离子辐照诱导正/负光电导优化载流子分离的方法_山东大学_202511997346.8
    本发明涉及一种基于离子辐照诱导正/负光电导优化载流子分离的方法，该方法包括在室温下，使用能量为500‑520MeV的Xe35+离子束对单晶样品进行均匀辐照，离子束的剂量范围为4.0×1011 cm‑2～3.0× 1012 cm‑2，本发明通...
    2026-05-07
  • 一种手性钙钛矿超晶格及其制备方法和应用
    一种手性钙钛矿超晶格及其制备方法和应用_香港理工大学深圳研究院_202610353840.9
    本发明属于材料科学与光电子技术领域，提供了一种手性钙钛矿超晶格及其制备方法和应用，所述手性钙钛矿超晶格包括具有交叉网络状量子阱超晶格结构的手性钙钛矿。本发明的手性钙钛矿超晶格在室温下表现出长自旋寿命和接近完美的自旋选择性输运特性，为解决室温...
    2026-05-07
  • 半极性面氮化镓外延层及其制备方法
    半极性面氮化镓外延层及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610362539.4
    本发明公开了一种半极性面氮化镓外延层及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供半极性面氮化镓衬底；在所述半极性面氮化镓衬底上同质外延生长半极性面氮化镓外延层；其中，所述半极性面为()面。本发明以半极性面氮化镓衬底作为衬底进行半极性面氮化镓...
    2026-05-07
  • 基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法
    基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法_中山大学_202610104020.6
    本发明属于氮化物晶体外延生长技术领域，具体涉及基于六方氮化硼准单晶生长氮化物外延和晶体的方法。通过制备得到X射线衍射峰强度最高峰对应(002)晶面的六方氮化硼准单晶衬底，采用金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、物理气相传输或磁...
    2026-05-07
  • 材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统
    材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统_北京智创芯源科技有限公司_202610102564.9
    本申请涉及半导体生长领域，公开了材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统，方法包括获取目标材料的预设生长温度曲线；在至少一个目标生长时间节点，利用电子束照射生长在衬底上的目标材料，以在目标材料中形成缺陷的起点；当目标材料生长结束，...
    2026-05-07
  • 一种反应腔室的进气结构
    一种反应腔室的进气结构_南京晶升装备股份有限公司_202511928701.6
    本发明公开了一种反应腔室的进气结构，包括若干进气管、若干分隔层、若干出气管，若干所述进气管用于向不同的分隔层通入反应气体或保护气体，每个分隔层均设置若干出气管，若干分隔层上下依次叠放，位于上层的分隔层的出气管穿过位于下层的分隔层与反应腔室连...
    2026-05-07
  • 一种外延设备
    一种外延设备_南京晶升装备股份有限公司_202511928700.1
    本发明公开了一种外延设备，包括石英进气方管、感应线圈、上半月加热座、下半月加热座、上游保温盖、下游保温盖，上半月加热座和下半月加热座对称设置，上游保温盖和下游保温盖设置于上半月加热座和下半月加热座的两端，上半月加热座和下半月加热座均为包括弧...
    2026-05-07
  • 一种碳化硅晶体生长方法及装置
    一种碳化硅晶体生长方法及装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234260.8
    本申请公开了一种碳化硅晶体生长方法及装置，涉及半导体技术领域，包括：将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，对长晶炉内抽真空；向坩埚内充入掺杂气体，加热碳化硅原料，以在籽晶上生长碳化硅晶体；碳化硅晶体包括交替层叠的第一碳化硅层和第二碳...
    2026-05-07
  • 一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用
    一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202610013619.9
    本申请提供一种PVT法单晶生长用钨纤维毡、制备方法及应用，该钨纤维毡通过纯钨纤维或钨合金纤维编织形成，可以通过改变钨纤维毡的厚度、密度或层数，灵活、精细地调节局部隔热效果，从而实现对整个生长温场梯度的优化。该钨纤维毡具有重量轻、功耗低、热稳...
    2026-05-07
  • 一种超声辅助制备单晶合金的方法
    一种超声辅助制备单晶合金的方法_西北工业大学_202610376902.8
    本发明属于单晶合金制备技术领域，具体涉及一种超声辅助制备单晶合金的方法。本发明通过在定向凝固过程中引入超声诱导的声场和流场，有效调控了凝固界面附近的溶质边界层厚度，成功实现了高温合金在柱晶条件下从胞晶到稳态枝晶的可控转变，并显著细化了枝晶一...
    2026-05-07
  • 一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统
    一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统_乐山新天源太阳能科技有限公司_202610195331.8
    本发明公开了一种基于实时氧碳检测的晶体生长智能调控系统，具体涉及晶体生长调控技术领域，该系统包括氧碳与生长状态信号采集模块、晶体生长阶段判别模块、氧碳检测信号校准模块、晶体生长环境调节方案生成模块以及生长环境调控执行模块，所述晶体生长阶段判...
    2026-05-07
  • 一种维持负载位置不变的装置及方法
    一种维持负载位置不变的装置及方法_无锡晶澳卫蓝新能源科技有限公司_202512027320.7
    本发明公开了一种维持负载位置不变的装置及方法，包括下伸缩单元、箱体、绳索、侧边转向单元、中心转接机构、上伸缩单元和固定夹，所述箱体底端的中部安装有用于夹紧绳索的固定夹，所述箱体底端安装有多个下伸缩单元，多个所述下伸缩单元呈阵列分布，所述箱体...
    2026-05-07
  • 一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统
    一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统_北京航星机器制造有限公司_202610028753.6
    本发明公开了一种闪烁晶体生长的监测控制方法和系统，属于晶体制备技术领域，用于解决大尺寸闪烁晶体制备效率低或废品率高的问题之一。本发明的闪烁晶体生长的监测控制方法，包括启动系统开始晶体生长、启动监测单元对晶体生长过程进行监测、判断晶体生长状态...
    2026-05-07
  • 一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法
    一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法_中国航发北京航空材料研究院_202610004953.8
    本发明涉及一种用于定向凝固单晶炉热场的顶部密封保温装置及方法，属于单晶生长设备技术领域，解决了现有技术中顶部密封保温装置强度较低，尤其是用于大尺寸单晶炉时，在高温和自身重力下易发生形变、断裂或塌陷，可靠性低、整体寿命短以及石墨软毡易被粉化的...
    2026-05-07
  • 一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法
    一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202512050431.X
    本发明提供了一种钛宝石晶体生长与后处理一体化的连续制备装置及方法，其中：所述装置的加热系统为双温区两段式发热体，通过上段发热体、与下段发热体配合控制炉膛内温度梯度，实现钛宝石晶体生长与原位恒温退火。晶体生长时将Al2O3、Ti2O3原料装入...
    2026-05-07
  • 一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法
    一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法_福建青拓特钢技术研究有限公司_202610379242.9
    本发明公开了一种不锈钢氧、氮、氢检测试样的快速制样方法，包括以下步骤：1)电解去除氧化物：以待测不锈钢样品为阳极，MMO钛基铂涂层电极为阴极，在硫酸‑双氧水混合电解液中进行电解，电流密度5~25 A/dm²，温度15~30℃，时间30~12...
    2026-05-07
  • 一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统
    一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统_陕西迪博电子器件有限责任公司_202610369410.6
    本发明公开了一种连接器局部镀金控制方法、设备及系统，涉及电镀技术领域。包括：响应于对目标连接器类型的第一连接器执行镀金操作，获取第一连接器的镀金区域中多个检测点的镀层厚度值、镀金区域的内凹区域以及镀金区域的第一电镀不均度；基于第一连接器的镀...
    2026-05-07
  • 一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备
    一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备_乳源瑶族自治县力强磁铁制品有限公司_202610345885.1
    本发明属于智能热处理生产线技术领域，公开了一种烧结钕铁硼磁铁的连续式自动化表面处理设备，包括换池臂组件，所述换池臂组件上设置有对表面处理液进行环动搅动和横向导流的导流辊组件，本发明处理液处于动态流动，进而形成对烧结钕铁硼磁铁的动态浸没，本发...
    2026-05-07
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