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最新专利技术
  • 一种通过锰络合物和铁络合物反应制备磷酸锰铁的方法
    一种通过锰络合物和铁络合物反应制备磷酸锰铁的方法_黄冈林立新能源科技有限公司_202411069446.X
    本发明公开了一种制备磷酸锰铁MnxFe(1‑X)PO4的方法，将焦磷酸锰络合物溶液与磷酸铁络合物溶液混合，解络合，形成磷酸锰铁沉淀。其中，焦磷酸锰络合物由锰III离子与焦磷酸...
    2025-09-13
  • 一种清洁设备控制方法及相关设备
    一种清洁设备控制方法及相关设备_北京石头世纪科技股份有限公司_202411074838.5
    本发明提供一种清洁设备控制方法及相关设备，涉及智能家居技术领域。其中，清洁设备包括机械臂模组和底盘，机械臂模组包括第一连杆和第二连杆，第一连杆的一端是抓取端，另一端与第二连杆的一端活动连接，第二连杆的另一端与底盘活动连接；方法包括：获取目标...
    2025-09-13
  • 一种踢脚线清洁方法、装置、扫地机器人及存储介质
    一种踢脚线清洁方法、装置、扫地机器人及存储介质_北京石头世纪科技股份有限公司_202411074083.9
    本申请提供了一种踢脚线清洁方法、扫地机器人、电子设备及存储介质，涉及智能家居技术领域，其中，所述方法包括：响应于所获取到的踢脚线清洁指令，确定目标踢脚线标识，驱动机械臂抓取清洁工具；根据目标踢脚线标识对应的位置信息和轮廓信息确定自动清洁设备...
    2025-09-13
  • 清洁方法、装置、自移动清洁设备及存储介质
    清洁方法、装置、自移动清洁设备及存储介质_北京石头世纪科技股份有限公司_202411088799.4
    本申请实施例提供了一种清洁方法、装置、自移动清洁设备及计算机可读存储介质，涉及智能家居技术领域。该方法包括：获取处于地面清洁作业中的自移动清洁设备所处环境的环境传感信息，并根据环境传感信息识别出环境中的障碍物以及障碍物的种类；若障碍物的种类...
    2025-09-13
  • 一种通信方法及装置
    一种通信方法及装置_华为技术有限公司_202411097832.X
    本申请提供一种通信方法及装置，用于解决现有传输中由于多普勒效应造成的频率偏移的影响，使得传输频率落入保护频段内的问题，通过本申请提供的方法能够提高系统传输性能，提高传输资源的利用率。该方法包括：广播第一信道，第一信道包括N个资源块；向终端发...
    2025-09-13
  • 一种光纤传感方法、控制器、光纤传感系统及车辆
    一种光纤传感方法、控制器、光纤传感系统及车辆_比亚迪股份有限公司_202411097966.1
    本发明实施例提供了一种光纤传感方法、控制器、光纤传感系统及车辆，光纤传感系统包括控制器、光发射单元、测量光路和接收模块，控制器与光发射单元和接收模块通信连接，光发射单元和接收模块通过测量光路连接，所述方法包括：控制器控制光发射单元向测量光路...
    2025-09-13
  • 车辆的制动控制方法、控制器、车辆及介质
    车辆的制动控制方法、控制器、车辆及介质_比亚迪股份有限公司_202411101488.7
    本发明实施例提供了一种车辆的制动控制方法、控制器、车辆及介质；该方法可以包括：在车辆的第一车轮的转动状态为滑转状态的情况下，控制器控制执行制动动作，制动动作包括控制降低第一车轮的第一驱动电机的驱动扭矩和/或增加第一车轮的制动扭矩，并控制增加...
    2025-09-13
  • 一种普那布林、帕博利珠单抗和多西他赛的组合的用途
    一种普那布林、帕博利珠单抗和多西他赛的组合的用途_大连万春布林医药有限公司_202411106980.3
    本发明提供了一种普那布林、帕博利珠单抗和多西他赛的组合在制备药物或药盒中的用途。具体地，所述药物或药盒被施用于具有以下分型的对象：一线免疫检查点抑制剂单药治疗失败的转移性非小细胞肺癌患者；和/或一线免疫检查点抑制剂联合化疗药治疗失败的转移性...
    2025-09-13
  • 盘装置
    盘装置_株式会社东芝_202411120252.8
    本发明的实施方式提供一种盘装置，能够抑制部件从粘接剂剥离。实施方式的盘装置具备电子部件、柔性印刷电路板、第一粘接剂、部件、以及第一结合层。所述柔性印刷电路板具有朝向所述电子部件的第一面、位于与所述第一面相反一侧的第二面、以及设置于所述第一面...
    2025-09-13
  • 一种垃圾焚烧炉稳定燃烧设备
    一种垃圾焚烧炉稳定燃烧设备_浙江诸暨八方热电有限责任公司_202411129553.7
    本发明公开了一种垃圾焚烧炉稳定燃烧设备，涉及垃圾焚烧炉领域，包括炉体，所述炉体内设置有隔板，且位于隔板的上下两侧分为第一焚烧腔室与第二焚烧腔室，所述炉体的内顶部设置有破碎机构，且位于破碎机构的底部倾斜设置有滑板，所述炉体内设置有过滤板，且位...
    2025-09-13
  • 合成皮革
    合成皮革_三芳化学工业股份有限公司_202411127106.8
    本公开内容提供一种合成皮革，包含基材层、第一聚烯烃层及第二聚烯烃层。该第一聚烯烃层设于该基材层上，其肖氏A硬度为约40A至约70A。该第二聚烯烃层设于该第一聚烯烃层上，其肖氏A硬度为约75A至约98A。
    2025-09-13
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411142838.4
    半导体器件可以包括：有源图案，在衬底的有源区上；沟道图案，在有源图案上并且包括彼此间隔开堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；栅电极，在沟道图案上；以及栅极介电层，在沟道图案和栅电极之间。栅极介电层可以包括界面层以及顺序地堆...
    2025-09-13
  • 芯片电性检测装置及其制作方法
    芯片电性检测装置及其制作方法_台湾爱司帝科技股份有限公司_202411145776.2
    本发明提供一种芯片电性检测装置及其制作方法。芯片电性检测装置包括电路控制模块、电性检测模块以及柔性导电结构。电路控制模块包括多个电性导通结构。电性检测模块包括多个能活动承载基板、多个电性检测结构以及多个电性连接结构。多个能活动承载基板彼此分...
    2025-09-13
  • 头戴式显示器及点击输入信号产生方法
    头戴式显示器及点击输入信号产生方法_宏达国际电子股份有限公司_202411148338.1
    一种头戴式显示器及点击输入信号产生方法。所述方法基于包含使用者的多个手指的多个实时影像及惯性感测数据，判断所述多个手指是否符合对应至实体平面的接触模式。所述方法响应于所述多个手指符合对应至所述实体平面的所述接触模式，基于所述多个实时影像及所...
    2025-09-13
  • 一种用于确定测斜仪标定误差的模拟方法
    一种用于确定测斜仪标定误差的模拟方法_中煤科工西安研究院(集团)有限公司_202411151530.6
    本发明公开一种用于确定测斜仪标定误差的模拟方法，该方法先获取三轴传感器的模拟测量值、三轴传感器的误差测量值和和转台参考角度矩阵R，进而利用最小二乘法确定三轴磁传感器的第二标定乘系数矩阵和第二标定加系数矩阵，然后通过随机构建验证旋转位置，获取...
    2025-09-13
  • 卷绕型电极组件、用于制造卷绕型电极组件的方法以及包括该卷绕型电极组件的二次电池
    卷绕型电极组件、用于制造卷绕型电极组件的方法以及包括该卷绕型电极组件的二次电池_株式会社LG新能源_202480006311.0
    根据本发明的卷绕型电极组件使用设置有加热元件的卷绕芯部进行卷绕，并且包括在加热之后具有一定程度的刚性的柔性膜，并且因此支承中空芯部部分，以即使在电池的充电和放电期间由于电极收缩/膨胀而导致电极组件变形的情况下也保持圆形形状，由此防止正极和分...
    2025-09-13
  • 薄膜压电器件
    薄膜压电器件_日商爱伯压电对策股份有限公司_202480006259.9
    本发明提供压电特性优异且位移量大的薄膜压电器件。该薄膜压电器件具备基板和支承于所述基板的可动部。所述可动部至少具备设置在所述基板之上的包含氧化锆(ZrO2)的缓冲膜、设置在所述缓冲膜之上的第一电极层、设置在所述第一电极...
    2025-09-13
  • 磁性存储器件
    磁性存储器件_三星电子株式会社_202411174555.8
    公开了一种磁性存储器件，包括：衬底；导电线，在衬底上；布线介电层，覆盖导电线；下屏蔽线，在布线介电层中，并且沿第一方向延伸；数据存储图案，包括在下屏蔽线上顺序堆叠的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极；以及上屏蔽线，在数据存储图案上，并且沿与...
    2025-09-13
  • 通信系统中用于发送和接收信道状态信息的方法及装置
    通信系统中用于发送和接收信道状态信息的方法及装置_北京三星通信技术研究有限公司_202411179776.4
    提供了一种通信系统中用于发送和接收信道状态信息(CSI)的方法及装置。该方法包括：接收参考信号相关的信息，其中，参考信号相关的信息包括参考信号的与波束管理相关联的多个频率单元的第一信息；基于所述参考信号的多个频率单元，进行信道测量；以及发送...
    2025-09-13
  • 一种FDSOI器件及其制造方法
    一种FDSOI器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202411190620.6
    本申请公开了一种FDSOI器件及其制造方法，可用于半导体领域，该方法中，首先，提供SOI晶圆；而后，刻蚀SOI晶圆的顶层硅和埋氧层，形成栅极沟槽；接着，沉积栅极材料，得到栅极材料层；栅极材料填充栅极沟槽并覆盖顶层硅表面；继而，刻蚀非栅极区域...
    2025-09-13
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